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触摸台灯电路板电路中MOSFET常见的击穿特征
添加时间:2019-06-03

触摸台灯电路板电路中有推动灯串的电流放大电路,这其中起放大作用的元器件,很多都是使用MOSFET,因其有电流放大倍数较大、功率高、稳定性强等特点。触摸电路板的LED输出与 MOSFET的响应速度也有一定关系,响应速度快,灯光在转换时平顺,无停顿。触摸板上面的这个MOSFET有时也会烧坏掉,就是我们常说的击穿,击穿有以下几种特征:

1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐步增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,产生电流较大。另一方面,耗尽层展宽大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。

2)穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此时源端的载流子注入到耗尽层中,被耗尽层中的电场加速达到漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点,这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流,如不作限流,雪崩击穿的电流要大。

3)穿通击穿一般不会出现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有达到雪崩击穿的场强,不会产生大量电子空穴对。

4)穿通击穿一般发生在沟道体内,沟道表面不容易发生穿通,这主要是由于沟道注入使表面浓度比浓度大造成,所以,对NMOS管一般都有防穿通注入。

5)一般的,鸟嘴边缘的浓度比沟道中间浓度大,所以穿通击穿一般发生在沟道中间。

6)多晶栅长度对穿通击穿是有影响的,随着栅长度增加,击穿增大。而对雪崩击穿,严格来说也有影响,但是没有那么显著。

   在触摸LED灯线路板电路中应用MOSFET时,各项参数一定要测量确认,例如电压、电流等极限值,防止过高而引起击穿。

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